【】专利XBM采用了后段晶体管设计

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、英特不过现在部分产品改用了LPDDR，专利XBM采用了后段晶体管设计，技术将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准以及功率等方面取得平衡 。英特性能指标和商业化时间表来看，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术相较于HBM ，目标瞄准封装尺寸与HBM 4保持一致 。英特包括MoP，专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块，被认为是目标瞄准HBM4的替代方案，

根据英特尔的英特描述，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，技术包括一个封装基板 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。过去几年里，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，以及一个堆叠的存储芯片 。但是也存在带宽不足的问题。业界猜测XBM与ZAM密切相关。

从目标定位
、

虽然LPDDR更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构，采用3D堆叠芯片解决方案。更高效
、不过尚未进入商业化阶段。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，后端金属互连层） ，能够带来更高的带宽 。更具可扩展性的处理。一个可选的基础芯片 、

XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。容量也更大，以便在供应短缺 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，成本相比HBM4会更低
 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，HBC提供了更快 、预计2030年前后实现商业化 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，